【新版】

外延生长铝,缓冲层加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法，该LED外延片采用硅衬底，在硅衬底上由下至上依次包括砷化镓低温缓冲层、砷化镓高温缓冲层、DBR反射层、铝镓铟磷下*层、多量子阱发光区、铝镓铟磷上*层、...

2、硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法

[简介]：一种780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法，包括：将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中，外延生长前将反应室升温、降压；分别以III族金属有机源和V族氢化物源作为先驱源，由载气带动进入反应室，在N型镓砷衬...

3、780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法

[简介]：一种在铝酸锂302面衬底上生长非极性a11-20面GaN薄膜的方法，在金属有机物化学气相淀积MOCVD系统中，在铝酸锂LiAlO2302面衬底上，在N2保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为...

4、一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法

[简介]：本套资料主要内容为生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaNGaN量子阱，生长在...

5、生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法

[简介]：一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法，包括：方法一：用302面γ-LiAlO2作为衬底，用氢化物气相外延方法制备面1120面GaN厚膜。方法二：用302面γ-LiAlO2作为衬底，通过金属有机化学气相沉积方法预先在302面γ-LiA...

6、铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法

[简介]：本套资料主要内容为生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以111面偏100方向0.5～1°为外延面。本套资料还主要内容为上述GaN薄膜的...

7、生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用

[简介]：本技术主要内容为一种硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管，该发光二极管的外延结构采用硅衬底，在硅衬底上由下至上依次包括砷化镓低温缓冲层、砷化镓高温缓冲层、DBR反射层、铝镓铟磷下*层、多量子阱发光区、铝镓铟磷上...

8、硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管

[简介]：本套资料揭示大面积高质量高热导率的准氮化铝生长衬底和准氮化镓基生长衬底及其在氮化铝陶瓷片上生长的技术和工艺。由此得到的生长衬底可以减小氮化镓基外延层和生长衬底之间的晶格常数和热胀系数的差别，具有优良的热导率...

9、准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法

[简介]：提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法，采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长AlxGa1-xN合金薄膜层，采用AlN缓冲层或插入层防止薄膜层产生裂纹，通过对AlGa摩尔比的控制，实现对AlxGa1-xN的Al组分进行调节，Al组分...

10、提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法

[简介]：本套资料涉及在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法。该薄膜材料以n型或p型硅片为衬底，在其上直接外延生长铝酸镧LaAlO3薄膜材料层，其厚度为10nm～2μm。该制备方法采用把清洗干净后的硅片直接从氢氟酸洗液中取出，并即...

11、在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法

[简介]：本套资料一种利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该...

12、利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法

[简介]：本套资料主要内容为一种基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法，该方法是采用P型掺杂的铝镓氮材料作为阴极*材料。由本方法所获得的基于铝镓氮材料的紫外光电阴极能够实现日盲探测，从而简化了紫外探测器的制备工...

13、基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法

[简介]：一种宽光谱砷化铟砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷...

14、宽光谱砷化铟砷化铝镓量子点材料生长方法

[简介]：本套资料涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层，然后经电化...

15、氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法

[简介]：本套资料公开的外延生长氧化铝单晶薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是氧化*末液压成型的陶瓷靶，然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以纯O2为生长气氛，控制O2压强0.5~5Pa，激光频率为3~10Hz，生长温度为450~650℃，...

16、外延生长氧化铝单晶薄膜的方法

[简介]：一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤...

17、基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法

[简介]：本套资料涉及一种由氮和铝的蒸气混合物外延生长氮化铝单晶的方法，所述方法包括如下步骤：外延生长基体4和铝源5置于生长室3内彼此相对的位置上；所述外延生长基体加热到一定温度，确保氮化铝单晶的生长，而且保持该温度...

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